0年内到点网盘讨论态硬可能B固要靠封装在1来蓝技术创新才能三星实现
第三制造商还必须能够管理这类保持大量电压状态的靠封 3D NAND 温度 ，铠侠 、装技HLC 、术创而 8bpc OLC 3D NAND 则需要保持 256 个电平状态，点网铠侠认为 8bpc OLC NAND 存储器都是星讨新才现蓝可能的 。
但三星也承认指望靠物理缩放 NAND 体积增加堆叠层数到 1000 层也不能快速增加密度，态硬该公司认为物理缩放、年内到能实随着每个 NAND 位数的靠封增加 ，
不过随着技术的装技发展这些问题最终都是会被解决的，Solidigm 等行业公司参与该峰会。术创只不过人类需要花费更长时间解决问题 ，点网不过没有量产。星讨新才现蓝控制器还需要使用更复杂的 ECC 算法 ，之后铠侠工程师还演示了存储 6 位 bpc 的 3D HLC NAND ，2017 年三星就推出 3D TLC 的 30.72TB 固态硬盘 ，物理缩放指的是减少闪存单元体积 ，
三星如此保守的对待 3D QLC NAND 主要是三星希望对闪存控制器进行技术创新 ，还要确保每个电压状态不会相互干扰；
其次是这种材料必须量大管饱 ，NAND 单元必须保持 64 个电平 ，
目前全球闪存芯片出货量和营收最高的都是三星 ，
制造商必须找到可以存储 64 或 256 个电压状态的材料 ，美光 、
在闪存芯片技术和工艺方面三星相对来说比较谨慎 ，三星似乎还觉得 3D QLC NAND 搭配的控制器还不足以进入大范围使用 。
困难在哪里呢 ？材料 。
逻辑缩放和封装创新将在未来 10 年内将固态硬盘容量提升到 1PB ，本月 CMFS2023（中国闪存市场峰会）在深圳举办，但三星在 QLC 闪存上非常谨慎 ，因此每增加一位 bpc 都会给制造商带来巨大的困难。让 NAND 单元体积缩小后可以堆叠更多 NAND 层数；逻辑缩放指的是增加每个 NAND 单元存储的位数 。Arm 、从而将 3D QLC NAND 引入主流市场 ，换言之 ，
三星预计还会继续增加 3D NAND 的物理缩放和逻辑缩放，所以消费者唯一能做的就是 ：等 。计算量暴增也会导致需求的算力增加，英特尔 、可能会在未来 10 年的某个时候到来，既然如此那 PLC 、OLC 闪存岂不是还要等待很久 ？
就当前来看三星距离推出新的闪存还很遥远 ，即每个 NAND 单元增加更多的位数。
为了让每个 NAND 存储 6 位 bpc ，这需要层叠技术升级和封装技术创新 。制造商还需要解决成本问题 。所以控制器成本会大幅度提升 ，到 2021 年展示基于 3D QLC NAND 的 128TB SSD 原型 ，到 2019 年展示 64TB 固态硬盘 ，
三星期待更先进的 3D NAND IC 封装技术，
铠侠 (原东芝存储) 对 NAND 逻辑缩放更热情 ，三星 、紫光展锐 、不过三星认为 1PB 的固态硬盘 ，早在 2019 年铠侠就开始讨论每个 NAND 单元存储 5 位 bpc 的 PLC NAND ，想要将温度保持在一个合理的范围也很困难；
最后 ：还必须研发更可靠的闪存控制器，
